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同时研究者发现通过较低浓度的质子酸对Ti3C2Tx进行溶液化学处理可以使外源插层剂在纳米片层表面上脱附，录精进而制备不含有外源插层剂的纯Ti3C2Tx薄膜，录精其具有优异的机械性能、导电性以及环境稳定性。比乌（c）理论屏蔽效率（由Simon公式计算）与实验结果的比较。

图三、斯姐原始和纯Ti3C2Tx薄膜的形态和表观密度（a~b）原始和0.1MH+诱导的Ti3C2Tx薄膜的外观和横截面SEM图。（b~c）在0%和100%RH环境下，微语两周内Ti3C2Tx薄膜电导的变化。而在Ti3C2Tx膜中，录精较差的水稳定性通过促进H2O/O2向薄膜内部的插层扩散进一步加速了Ti3C2Tx的氧化降解。

在此之后，比乌纯Ti3C2Tx薄膜不仅在1分钟的超声浴处理下保持了机械完整性，且在干燥状态下的导电率（5100Scm-1）也高于原始薄膜的初始值（4620Scm-1）。斯姐【背景介绍】2011年YuryGogotsi教授与MichaelBarsoum教授首次将钛碳化铝（Ti3AlC2MAX相）中的Al原子层在氢氟酸体系中刻蚀得到二维碳化钛（Ti3C2Tx）纳米片层。

作者认为，微语纯Ti3C2Tx薄膜的的机械性能和电导率的提高来源于Ti3C2Tx片层间相互作用的增强，微语而外源插层剂的移除可以阻断H2O/O2的插层而使纯Ti3C2Tx膜在水氧环境下保持稳定。

（d）纯Ti3C2Tx薄膜的制备流程和结构特点，录精以及与原始Ti3C2Tx薄膜比较，其中几乎不存在外源插层剂，以及具有较少的层间水分子。罗雪娟、比乌叶诗文、孙颖莎、王昶、龙洋为纪录片《绽放》助力打Call。

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